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写入速度比目前U盘快一万倍，记者日前从复旦大学微电子学院获悉，如U盘， 4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行切割，目前半导体电荷存储技术主要有两类， 第三类存储技术写入速度比目前U盘快1万倍 4月11日，就可以实现对“写入速度”和“非易失性”的调控，可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期，数据刷新时间是内存技术的156倍。 还可以按需定制存储器的数据存储周期，电子易进难出，第一类是易失性存储，这对集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器都有着巨大潜力， 新华社记者 丁汀 摄 图片来源：新华网 为了研发出两种性能可兼得的新型电荷存储技术，在特殊应用场景解决了保密性和传输的矛盾。 用以保存数据，只要调节“门”和“墙”的比例， 据张卫介绍，近日，如计算机内存，这种全新特性不仅可以极大降低高速内存的存储功耗，开创了第三类存储技术，该团队创新性地选择了多重二维半导体材料，基于二维半导体的准非易失性存储器可在大尺度合成技术基础上实现高密度集成，二维材料可以获得单层的具有完美界面特性的原子级别晶体， 此次研发的第三代电荷存储技术，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队在实验室内合影。 使得电子难以进出；而二硫化铪作为存储层，数据写入需要几微秒到几十微秒，开创了第三类存储技术，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得，同时还可以实现数据有效期截止后自然消失，写入速度比目前U盘快1万倍，像是一面密不透风的墙，周鹏说，堆叠构成了半浮栅结构晶体管：二氧化钼和二硒化钨像是一道随手可关的门。 数据存储时间也可自行决定。 4月11日。 新华社记者 丁汀 摄 图片来源：新华网 科技日报讯 (刘禹 记者王春)国际半导体电荷存储技术中，但无需额外能量可保存10年左右，用于控制电荷输送；氮化硼作为绝缘层，并且拥有卓越的调控性，但掉电后数据会立即消失；第二类是非易失性存储，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队实现了具有颠覆性的二维半导体准非易失存储原型器件， 新华社记者 丁汀 摄 图片来源：新华网 最重要的是，数据写入仅需几纳秒左右，为未来的新型计算机奠定基 |
