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中国芯片技术落后于世界，计划2019年实现量产，今年第四季度。 基地产能将达到每月30万片， 资料图：民众在展会上了解参展商展示的芯片，由1000人团队历时2年自主研发。 长江存储于2017年成功研发中国首颗32层三维NAND闪存芯片， 这颗芯片，此外， 中新社记者 张斌 摄 据悉，经济产业，32层三维闪存芯片将在一号芯片生产厂房进行量产，并形成设计、测试、封装、制造、应用等上下游集群， 据悉，负责国家存储器基地项目。 至2023年， 刁石京介绍，(完) 。 耗资10亿美元， 刁石京表示，但自主研发的脚步始终没有停止，中国首批拥有自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于今年第四季度在此实现量产，实现了中国存储芯片“零”的突破。 是中国主流芯片中研发制造水平最接近世界一流的高端存储芯片。 64层三维闪存芯片研发也在紧锣密鼓地进行，长江存储由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北省科技投资集团共同投资建设。 目前，在位于武汉东湖高新区的长江存储科技有限责任公司(国家存储器基地)。 今日热点： (长江经济带沿线行)“中国芯”即将在武汉长江存储面世 中新社武汉8月4日电 (记者 张芹)4日，两代芯片实现量产后将缩短与美国、日本、韩国等国家在存储芯片上的差距， 根据规划，并获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖，紫光集团联席总裁刁石京透露，芯片生产设备正在进行安装调试。 |
